Cerberus 
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In den letzten Tagen gab es wieder einige Neuankündigungen im Speicherbereich. Zunächst einmal Infineon, die mit gleich 2 Meldungen voranpreschen.
Ab sofort verfügbar ist ein 256Mbit Speicherbaustein für mobile Geräte. Das besondere an dem kleinen Ding: Der Stromverbrauch für den Stand-by Betrieb wurde um 50% gesenkt. Normalerweise muss ein DRAM Baustein ständig Storm ziehen um die gespeicherten Daten zu behalten. Bei der Lösung von Infineon geschieht dies aber nicht im gesammten Speicher, sondern nur in den Speicherzellen in denen auch Informationen gespeichert sind. Außerdem ist die Aktualisierungs-Rate im Infineon-Chip abhängig von der Temperatur: je geringer seine Betriebstemperatur, desto seltener findet eine Aktualisierung statt. Die nächste Generation der Chips steht auch schon in den Startlöchern, diese sollen dann bis zu 512Mbit an Daten speichern können.
Neben neuen Modulen für den mobilen Sektor findet sich aber auch bei den HighSpeed Rams Neues: Mit den neuen 128-MBit-RAMs in FBGA-Bauform erreichte Infineon Frequenzen von 450 MHz DDR, d.h. 900 Mhz effektiv. Der Speicher unterstützt dabei Interface-bandbreiten von 32 bis 256Bit. Trotz dem beieindruckenden Takt werden die Rams nicht ungewöhnlich warm: Man hat die Spannung statt den üblichen 2,5 Volt auf schwache 1,8 Volt verringert. Die Chips werden wohl auf den kommenden Grafikkarten-Generationen zu finden sein, so zB auf der NV30.
Aber nicht nur über Infineon gibt es Neues zu berichten. The Inquirer will angeblich neue Roadmaps von Samsung gesichtet haben. Bei DDR I produziert man derzeit fleißig DDR 333, bis Ende des Jahres will man hier aber auf DDR 400 umsatteln. Bei den Speichergrößen der DDR 333 Rams werkelt man derzeit an 128Mb Chips auf 2.5 Volt, in Q3 2002 dann an 256ern. mit Chips in Gigabitgrösse ist nicht vor Ende 2003 zu rechnen.
Sehr interessant auch, dass Samsung offenbar schon Testmuster von 512 MB DDR II Bausteinen verschickt. In Quartal 4 dann will man 1,8 Volt DDR II mit 666 bzw. 667 (ja, ganz Recht, 667, die Gemüter unserer Amerikanischen Freunde reagiern auf solch mystische Zahlenkombinationen immer recht sensibel), 533 und 400 Mhz vorstellen. Nächstes Jahr wiedermal in neuem Packaging. Dies finden wir doch sehr verwunderlich, hört man das Wehklagen der Chipsatzhersteller sollte die Entwicklung von DDR II noch um einiges mehr an Zeit beanspruchen. Ist man bei Samsung seiner Zeit ein bisschen vorraus?
Samsung lässt als einer der letzten Verfechter der RAMBUS-Technologie aber nicht nur DDR Chips entwickeln. 2003 wird es 128Mb, 256Mb, 288Mb und 576Mb Module geben, die dann endlich in 0.13 micron Verfahren hergestellt werden.
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