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 MPF: Itanium mit 1 Milliarde Transistoren in 2007 |
Fummler
unregistriert
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| MPF: Itanium mit 1 Milliarde Transistoren in 2007 |
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(tecCHANNEL.de, 16.10.2002) Intel-Fellow John Crawford hat bei seiner Keynote auf dem Microprocessor Forum bekannt gegeben, dass sich im Jahr 2007 eine Milliarde Transistoren auf einem Prozessor befinden werden. Dabei werde es sich um einen Multi-Core-Itanium handeln.
Die aktuellen und in den Startlöchern stehenden Intel-Prozessoren sind von den 1000 Millionen Transistoren noch ein Stück weit weg: Der Pentium 4 mit Northwood-Core verrichtet seine Arbeit mit Hilfe von 55 Millionen Transistoren auf einer 146 mm² großen Silizium-Fläche. DasDieder Notebook-CPU Banias wird bereits aus 77 Millionen Transistoren bestehen. Den Transistor-Rekord hält dagegen Intels Itanium 2: 221 Millionen tummeln sich auf einem 465 mm² großen Die. Details dazu finden Sie im ReportMcKinley oder McMonster.
Aktuell fertigt Intel noch mit einer Prozesstechnologie von 0,13 µm. Mitte 2003, mit dem Pentium-4-Nachfolger Prescott, will Intel auf eine Strukturbreite von 90 nm übergehen. Der nächste Schritt soll dann 2005 erfolgen: 65 nm Strukturbreite und eine Gate-Länge von 30 nm. Im Jahr 2007 soll die Fertigung der Prozessoren bereits mit 45 nm bei einer Gate-Länge von 20 nm eingeführt werden. Auf das Jahr 2009 hat John Crawford ebenfalls noch einen Blick geworfen: 30 nm Strukturbreite mit 12 nm langenGates.
Der 1000-Millionen-Transistor wird laut Crawford im Jahr 2007 noch mit der 65-nm-Prozesstechnologie gefertigt. Die Taktfrequenz soll dann bei zirka 6 GHz liegen. Diese CPU wird einen Multi-Core enthalten und im Enterprise-Segment angesiedelt sein. John Crawford führt hier einen Prozessor auf, der aus vier Itanium-2-Cores besteht. Jeder, aus jeweils 120 Millionen Transistoren aufgebauter Core greift dann auf einen gemeinsamen L2-Cache mit 12 bis 16 MByte Größe zu. Der Cache beansprucht mit 700 bis 950 Millionen Transistoren die größte Fläche auf dem Silizium.
Um die niedrigen Strukturbreiten zu ermöglichen, experimentiert Intel auch mit neuen Dielektrika. Beim nächstjährigen 90-nm-Prozess isoliert noch ein 1,2 nm dickes SiO2-Dielektrikum das Transistor-Gate vom Substrat. Leckströme entwickeln sich bei dieser dünnen Struktur vermehrt zu einem Problem. Das experimentelle Dielektrikum von Intel soll Leckströme auf den Faktor 0,01 reduzieren. Die Höhe der Schicht wächst dabei allerdings auf 3 nm. Angaben über die Zusammensetzung des experimentellen Dielektrikums machte John Crawford während seiner Präsentation nicht. (cvi)
Quelle: lycos.de
Fummler
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16.10.2002 13:37 |
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Bullzeye-Xor 
Gold Member
Dabei seit: 06.08.2002
Beiträge: 824
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http://www.pc-experience.de/wbb2/thread....eadid=1239&sid=
Ist das nicht quasi die Selbe Meldung?! 
(OK, hast unten noch ein paar extra News dazu geschrieben und die Zahlen sind glaub ich teilweise etwas anders...) Aber 1Thread wäre glaube ich sinnvoller :D
(hoffe ich habe jetzt nicht wieder irgend etwas übersehen, meist liege ich falsch wenn ich so etwas von mir gebe :rolleyes: )
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17.10.2002 14:57 |
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Athena
Administratorin
Dabei seit: 23.07.2002
Beiträge: 16.227
Herkunft: Lübeck
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Du hast Recht,
und wer Recht hat bekommt einen Keks : ess mich !
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deine Athena
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bitte keine technischen Anfragen per PN ! und verwendet als erste Anlaufstelle bitte unsere Suchfunktion !
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17.10.2002 15:04 |
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Bullzeye-Xor
Gold Member
Dabei seit: 06.08.2002
Beiträge: 824
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17.10.2002 15:08 |
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Fummler
unregistriert
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Hm... die Suchoption hatte mir unter dieser Überschrift nichts angezeigt :( und alle Postings kann ich ja nun auch nicht lesen :looking
trotzdem sorry
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17.10.2002 16:01 |
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Cerberus
Chefredakteur
Dabei seit: 23.07.2002
Beiträge: 12.049
Herkunft: Lübeck
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Schon gut,
in diesem Fall war es mein Fehler !
Cerberus
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17.10.2002 16:05 |
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